市场背景:

随着第三代半导体（SiC、GaN）在新能源、光伏储能及新能源汽车领域的爆发式增长，以及集成电路向高精度、高集成度演进，对半导体器件的IV、CV及脉冲特性测试提出了严苛要求。半导体参数分析仪和数字源表（SMU）作为核心测试设备，其精度与稳定性直接决定了器件研发与产线良率的成败。 然而，面对pA级微弱电流与kV级高压的复杂测试场景，如何依据JJF 2009-2022规范进行精准、高效的校准，已成为计量与测试工程师面临的核心挑战。

热点话题:

在新版《JJF 2009-2022半导体参数精密分析仪校准规范》正式实施的背景下，如何将纸面的计量标准转化为实验室中可落地的实操方案，已成为行业关注的焦点。当前，半导体器件测试正面临向极限参数挑战的趋势：一方面是先进制程与宽禁带材料带来的pA级微弱漏电流与kV级高压测试需求，对测试系统的屏蔽与保护提出了极高要求；另一方面，器件的动态与脉冲测试成为评估真实工况性能的关键。如何利用高带宽数字化仪与精密分流器，准确捕捉纳秒级脉冲信号并规避器件自热效应，是计量校准工程师亟待攻克的技术高地。

解决方案:

针对以上行业痛点，福禄克提供一站式半导体参数分析仪及源表校准方案：利用高精度多功能校准器与高值电阻箱，配合保护端屏蔽技术，精准破解pA级微电流生成与防漏电难题；通过“加流测压”法及八位半高精度数字表，有效规避kV级高压测量的负载效应；采用精密分流器结合高速数字化采样技术，直接且精准地捕捉纳秒级脉冲波形与动态参数。从微弱电流到高压脉冲，福禄克全面保障测试精度与效率。

会议时间：

2026年11月24日 14:00-15:00，福禄克计量校准部电学产品经理将向参会嘉宾重点解读半导体参数分析仪及源表的校准规范，并探讨前沿校准解决方案。直播将分享针对pA级微电流、kV级高压及PMU脉冲测量的实操案例。期间，您可以在交流问答环节中向演讲嘉宾咨询相关技术问题。